JIAENSEMI JNG10T65DJS1
Артикул: C51484239
Part Number: JNG10T65DJS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.236500 ₽
В наличии: 1352 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.458700 ₽ |
| 10 шт. | 0.364200 ₽ |
| 30 шт. | 0.323200 ₽ |
| 100 шт. | 0.272700 ₽ |
| 500 шт. | 0.249100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.236500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.2V@10A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 28nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.2V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 670pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 37pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 10pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 71ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 180uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 170uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 57ns |
Описание
100W 20A 650V TO-252-2L одиночные IGBT-транзисторы