HANSCHIP semiconductor ULN2003IDRG

HANSCHIP semiconductor ULN2003IDRG

Артикул: C5145451 Part Number: ULN2003IDRG Производитель: HANSCHIP semiconductor
от 0.042400 ₽ В наличии: 1030 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.084900 ₽
50 шт. 0.067600 ₽
150 шт. 0.058900 ₽
500 шт. 0.052400 ₽
2500 шт. 0.045000 ₽
5000 шт. 0.042400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество каналов Seven channels
Тип BJT
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO -
Ток коллектора (Ic) 500mA
Максимальное входное напряжение 30V
Рабочая температура -40℃~+85℃
Ток утечки выхода (Icex) 20uA
Входной ток во включённом состоянии 0.93mA
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.3V
Входной ток в выключенном состоянии 100uA
Прямое напряжение (Vf) 1.7V
Обратный ток утечки (Ir) 5uA
Входная ёмкость (Ci) 15pF

Описание

Семь каналов BJT 500mA SOP-16 сборки биполярных транзисторов RoHS