HANSCHIP semiconductor HX8552IDRG

HANSCHIP semiconductor HX8552IDRG

Артикул: C5145439 Part Number: HX8552IDRG Производитель: HANSCHIP semiconductor
от 0.274900 ₽ В наличии: 2488 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.406700 ₽
10 шт. 0.356200 ₽
30 шт. 0.335100 ₽
100 шт. 0.309100 ₽
500 шт. 0.283000 ₽
1000 шт. 0.274900 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество каналов 1
Особенности Zero drift / auto-zero;EMI filtering/RF suppression
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) 110dB
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания 1.8MHz
Однополярное питание 1.8V~5.5V
Входной ток смещения Ib 20pA
Диапазон от шины до шины питания (Rail-to-Rail) Rail-to-Rail Input, Rail-to-Rail Output
Двухполярное питание -2.75V~-900mV;900mV~2.75V
Выходной ток 65mA
Входное напряжение смещения Vos 30uV
Скорость нарастания выходного напряжения 0.95V/us
Дрейф входного напряжения смещения (Vos TC) 10nV/℃
Ток покоя 180uA
Рабочая температура -40℃~+85℃
Разность входных токов (Ios) 10pA
Спектральная плотность входного шумового напряжения 38nV/√Hz@1kHz

Описание

65mA 1 30uV 0.95V/us 110dB 20pA 180uA 1.8MHz вход и выход от шины до шины питания SOP-8 измерительные, операционные и буферные усилители RoHS