CBI MMBT5551DW

CBI MMBT5551DW

Артикул: C51315425 Part Number: MMBT5551DW Производитель: CBI
от 0.014900 ₽ В наличии: 2760 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
20 шт. 0.031400 ₽
200 шт. 0.024400 ₽
600 шт. 0.020400 ₽
3000 шт. 0.018100 ₽
9000 шт. 0.016100 ₽
21000 шт. 0.014900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 2 NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 160V
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Ток коллектора (Ic) 600mA
Коэффициент усиления по постоянному току 300
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 150mV;200mV
Ток отсечки коллектора 50nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 300MHz

Описание

160V 300 600mA NPN 2 NPN SOT-363 одиночные биполярные транзисторы