CBI DTC113ZE

CBI DTC113ZE

Артикул: C51315339 Part Number: DTC113ZE Производитель: CBI
от 0.009400 ₽ В наличии: 2000 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
50 шт. 0.019700 ₽
500 шт. 0.015300 ₽
3000 шт. 0.012800 ₽
6000 шт. 0.011300 ₽
24000 шт. 0.010100 ₽
51000 шт. 0.009400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Тип NPN
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150mW
Коэффициент усиления по постоянному току 33
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V@20mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 300mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV@10mA,0.5mA
Входной резистор 1kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 10
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

50V 33 100mA 150mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-523 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения