Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363
Артикул: C513103
Part Number: PUMD12,115
Производитель: Nexperia
от 0.055400 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.058500 ₽ |
| 50 шт. | 0.057200 ₽ |
| 150 шт. | 0.056300 ₽ |
| 500 шт. | 0.055400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.6V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 700mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 61kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-363