onsemi NTLJD3115PT1G
Артикул: C513048
Part Number: NTLJD3115PT1G
Производитель: onsemi
от 0.261700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.275500 ₽ |
| 10 шт. | 0.269400 ₽ |
| 30 шт. | 0.266300 ₽ |
| 100 шт. | 0.261700 ₽ |
Характеристики
| Тип | P-Channel |
| Количество | 2 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Common source |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.1A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 200mΩ@1.8V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Заряд затвора (Qg) | 6.2nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 531pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 56pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 91pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
20V 4.1A 200mΩ@1.8V 1.5W 1V 2 P-канальный WDFN-6-EP(2x2) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS