SiC N-канальный мощность MOSFET
Артикул: C5127757
Part Number: MSC080SMA120B
Производитель: MICROCHIP
от 17.128200 ₽
В наличии: 6 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 21.131900 ₽ |
| 10 шт. | 20.188000 ₽ |
| 30 шт. | 18.553900 ₽ |
| 90 шт. | 17.128200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 231W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 72nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.1nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 91pF |
Описание
1.2kV 40A 2.8V 231W 100mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS