Hangzhou Silan Microelectronics SVF18N60F
Артикул: C5126710
Part Number: SVF18N60F
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.922800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.392400 ₽ |
| 10 шт. | 1.210400 ₽ |
| 50 шт. | 1.108000 ₽ |
| 100 шт. | 0.995900 ₽ |
| 500 шт. | 0.945600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.922800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 54W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 360mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 46.35nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.3948nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7.85pF |
Описание
600V 18A 2V 54W 360mΩ@10V 1 N-канальный TO-220F-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)