30V двойной N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5123911
Part Number: FDC6561AN
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.113300 ₽
В наличии: 2505 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.157000 ₽ |
| 50 шт. | 0.140000 ₽ |
| 150 шт. | 0.132700 ₽ |
| 500 шт. | 0.123700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.115800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.113300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 35mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 4nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 170pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 23pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 35pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
1.2W 30V 4A 1.5V 35mΩ@10V 2 N-канальный N-канальный SOT-23-6 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)