P-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5122040
Part Number: SI2333CDS
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.060800 ₽
В наличии: 1915 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.127800 ₽ |
| 50 шт. | 0.102600 ₽ |
| 150 шт. | 0.090000 ₽ |
| 500 шт. | 0.080600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.064600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.060800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.8W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 550mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 18mΩ@4.5V;22mΩ@2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 19.5nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.73nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 210pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 320pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
1.8W 20V 6A 550mV 1 P-канальный P-канальный SOT-23-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)