IGBT 1.2kV 35A TO-220AB
Артикул: C511971
Part Number: HGTP10N120BN
Производитель: onsemi
от 4.248600 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.979300 ₽ |
| 10 шт. | 5.187700 ₽ |
| 50 шт. | 4.705100 ₽ |
| 100 шт. | 4.300800 ₽ |
| 500 шт. | 4.248600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 298W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 35A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.7V@10A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 100nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V@90uA |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 23ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 165ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 320uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 800uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
IGBT NPT (не-пробойник Through) 1.2kV 35A 298W монтаж в отверстия TO-220AB