NPN дарлингтона транзистор

NPN дарлингтона транзистор

Артикул: C5119701 Part Number: BCV27 Производитель: PJSEMI
от 0.040300 ₽ В наличии: 2030 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.066400 ₽
100 шт. 0.056300 ₽
300 шт. 0.051200 ₽
3000 шт. 0.044800 ₽
6000 шт. 0.041800 ₽
9000 шт. 0.040300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.4V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 220MHz

Описание

30V 20000 500mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы