40V 1.3mΩ N-канальный мощность MOSFET
Артикул: C5117897
Part Number: JMSH0401AGQ-13
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics
от 0.465500 ₽
В наличии: 4751 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.907900 ₽ |
| 10 шт. | 0.726000 ₽ |
| 30 шт. | 0.635900 ₽ |
| 100 шт. | 0.547400 ₽ |
| 500 шт. | 0.493300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.465500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 197A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 136W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.015nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 18pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2nF |
Описание
40V 197A 2.8V 136W 1.3mΩ@10V 1 N-канальный PDFN5x6-8L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS