VISHAY SI8416DB-T2-E1
Артикул: C511547
Part Number: SI8416DB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 1.564600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.616600 ₽ |
| 10 шт. | 1.593800 ₽ |
| 30 шт. | 1.579200 ₽ |
| 100 шт. | 1.564600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 8V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9.3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.77W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 350mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 23mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 17nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.47nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 450pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 580pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±5V |
Описание
2.77W 8V 9.3A 350mV 23mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный MicroFoot-6 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS