Транзистор предварительное смещение 50V SOT-457
Артикул: C509889
Part Number: IMD2AT108
Производитель: ROHM
от 0.040200 ₽
В наличии: 2665 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.071900 ₽ |
| 50 шт. | 0.058300 ₽ |
| 150 шт. | 0.051400 ₽ |
| 500 шт. | 0.046300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.042200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.040200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,200mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 3V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 100mV |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-457