DIODES DMN10H099SK3-13
Артикул: C508200
Part Number: DMN10H099SK3-13
Производитель: DIODES
от 0.446800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.461400 ₽ |
| 50 шт. | 0.454900 ₽ |
| 150 шт. | 0.451700 ₽ |
| 500 шт. | 0.446800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 69mΩ@6V |
| Заряд затвора (Qg) | 25.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.172nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 31.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40.8pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
34W 100V 17A 3V 69mΩ@6V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS