SOT23 NPN кремний планарный дарлингтона транзисторы

SOT23 NPN кремний планарный дарлингтона транзисторы

Артикул: C507909 Part Number: BCV47TA Производитель: DIODES
от 0.089400 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.092300 ₽
50 шт. 0.091100 ₽
150 шт. 0.090300 ₽
500 шт. 0.089400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 60V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 330mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 170MHz

Описание

60V 10000 500mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS