Infineon IMBG65R075M2HXTMA1
Артикул: C50759416
Part Number: IMBG65R075M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 6.916800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.288800 ₽ |
| 10 шт. | 7.129600 ₽ |
| 30 шт. | 7.024000 ₽ |
| 100 шт. | 6.916800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 28A |
| Рабочая температура | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 124W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 95mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 14.9nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 516pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 57pF |
Описание
650V 28A 5.6V 124W 95mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)