HXY MOSFET NTH4L013N120M3S-HXY
Артикул: C50346536
Part Number: NTH4L013N120M3S-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 20.428100 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 21.456700 ₽ |
| 30 шт. | 20.428100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 167A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 555W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 216nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.815nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 29pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 239pF |
Описание
1.2kV 167A 2.9V 555W 13mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)