BORN BMF65R190
Артикул: C50338767
Part Number: BMF65R190
Производитель: BORN
от 0.569400 ₽
В наличии: 1047 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.050800 ₽ |
| 10 шт. | 0.854000 ₽ |
| 50 шт. | 0.756400 ₽ |
| 100 шт. | 0.658800 ₽ |
| 500 шт. | 0.600300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.569400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.48nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 102pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 20A 3V 34W 160mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)