Транзистор предварительное смещение 50V TSSOP-6(SOT-363)
Артикул: C503382
Part Number: PUMD2,125
Производитель: Nexperia
от 0.048300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.074900 ₽ |
| 100 шт. | 0.063400 ₽ |
| 300 шт. | 0.057700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.053400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.050000 ₽ |
| 9000 шт. | 0.048300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 60 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.7V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж TSSOP-6(SOT-363)