650V, 80A, траншейный FS II быстрый IGBT

650V, 80A, траншейный FS II быстрый IGBT

Артикул: C502948 Part Number: NCE80TD65BT Производитель: NCE
от 1.896000 ₽ В наличии: 392 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.428000 ₽
10 шт. 2.857800 ₽
30 шт. 2.500300 ₽
90 шт. 2.133200 ₽
510 шт. 1.969100 ₽
990 шт. 1.896000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 390W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 160A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Заряд затвора (Qg) 331nC@15V
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.7V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4V@1mA
Входная ёмкость (Cies) 9.188nF
Выходная ёмкость (Coes) 258pF
Проходная ёмкость (Cres) 181pF
Время задержки включения Td(on) 19ns
Время задержки выключения Td(off) 172ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.43mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.45mJ
Время обратного восстановления (trr) 194ns

Описание

390W 160A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы