600V,10A,траншейный FSII быстрый IGBT

600V,10A,траншейный FSII быстрый IGBT

Артикул: C502936 Part Number: NCE10TD60BD Производитель: NCE
от 0.314100 ₽ В наличии: 460 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.647200 ₽
100 шт. 0.511700 ₽
300 шт. 0.443200 ₽
800 шт. 0.376200 ₽
4800 шт. 0.336400 ₽
9600 шт. 0.314100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 83W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 20A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.9V@10A,15V
Заряд затвора (Qg) 44nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4V@1mA
Входная ёмкость (Cies) 1.127nF
Выходная ёмкость (Coes) 40pF
Проходная ёмкость (Cres) 24pF
Время задержки включения Td(on) 20ns
Время задержки выключения Td(off) 73ns
Энергия потерь при включении (Eon) 210uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 110uJ
Время обратного восстановления (trr) 158ns

Описание

83W 20A 600V FS (ограничение поля) TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы