HXY MOSFET 3DD13003

HXY MOSFET 3DD13003

Артикул: C50285043 Part Number: 3DD13003 Производитель: HXY MOSFET
от 0.053800 ₽ В наличии: 50 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.097800 ₽
50 шт. 0.078900 ₽
150 шт. 0.069400 ₽
500 шт. 0.062300 ₽
2500 шт. 0.056700 ₽
5000 шт. 0.053800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN
Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 500V
Ток коллектора (Ic) 1.5A
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.25W
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 40
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 600mV
Ток отсечки коллектора 1mA
Напряжение эмиттер–база VEBO 9V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 5MHz

Описание

500V 40 1.5A 1 NPN NPN TO-126 одиночные биполярные транзисторы