HXY MOSFET 2SD882
Артикул: C50276617
Part Number: 2SD882
Производитель: HXY MOSFET
от 0.155600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.291800 ₽ |
| 50 шт. | 0.233700 ₽ |
| 150 шт. | 0.208800 ₽ |
| 500 шт. | 0.177800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.164000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.155600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 30V |
| Ток коллектора (Ic) | 3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 300 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 500mV |
| Ток отсечки коллектора | 1uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Конфигурация | Standalone |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 5MHz |
Описание
30V 300 3A 1 NPN NPN TO-126 одиночные биполярные транзисторы