HXY MOSFET 2SB649
Артикул: C50275340
Part Number: 2SB649
Производитель: HXY MOSFET
от 0.071300 ₽
В наличии: 295 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.136200 ₽ |
| 50 шт. | 0.108200 ₽ |
| 150 шт. | 0.094300 ₽ |
| 500 шт. | 0.083800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.075400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.071300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP |
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 150V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Ток коллектора (Ic) | 1.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 250 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 500mV |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 50MHz |
Описание
150V 250 1.5A 1 PNP PNP TO-126 одиночные биполярные транзисторы