HXY MOSFET 2SD669
Артикул: C50275339
Part Number: 2SD669
Производитель: HXY MOSFET
от 0.078900 ₽
В наличии: 505 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.146600 ₽ |
| 50 шт. | 0.117500 ₽ |
| 150 шт. | 0.102900 ₽ |
| 500 шт. | 0.092000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.083300 ₽ |
| 5000 шт. | 0.078900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 150V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.6W |
| Ток коллектора (Ic) | 1.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 250 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 500mV |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Конфигурация | Standalone |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 50MHz |
Описание
150V 250 1.5A 1 NPN NPN TO-126 одиночные биполярные транзисторы