HXY MOSFET KSD882YSTU-HXY
Артикул: C50269824
Part Number: KSD882YSTU-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.224700 ₽
В наличии: 23 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.455800 ₽ |
| 10 шт. | 0.358100 ₽ |
| 30 шт. | 0.315800 ₽ |
| 100 шт. | 0.262100 ₽ |
| 500 шт. | 0.239300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.224700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 30V |
| Ток коллектора (Ic) | 3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 300 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 500mV |
| Ток отсечки коллектора | 1uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Конфигурация | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 5MHz |
Описание
30V 300 3A 1 NPN NPN TO-126 одиночные биполярные транзисторы