HXY MOSFET D882Y

HXY MOSFET D882Y

Артикул: C50269822 Part Number: D882Y Производитель: HXY MOSFET
от 0.047200 ₽ В наличии: 230 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.089200 ₽
50 шт. 0.071100 ₽
150 шт. 0.062100 ₽
500 шт. 0.055300 ₽
2500 шт. 0.049900 ₽
5000 шт. 0.047200 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN
Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 3A
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.25W
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 300
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 500mV
Ток отсечки коллектора 1uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Конфигурация -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 50MHz

Описание

30V 300 3A 1 NPN NPN TO-126 одиночные биполярные транзисторы