HXY MOSFET MJD42C

HXY MOSFET MJD42C

Артикул: C50269817 Part Number: MJD42C Производитель: HXY MOSFET
от 0.117500 ₽ В наличии: 145 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.232900 ₽
50 шт. 0.183700 ₽
150 шт. 0.162600 ₽
500 шт. 0.136300 ₽
2500 шт. 0.124600 ₽
5000 шт. 0.117500 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 PNP
Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Ток коллектора (Ic) 3A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 200
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 500mV
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Конфигурация Standalone
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 50MHz

Описание

100V 200 3A 1 PNP PNP TO-252-2L одиночные биполярные транзисторы