HXY MOSFET MJD127G-HXY
Артикул: C50269812
Part Number: MJD127G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.237700 ₽
В наличии: 248 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.467200 ₽ |
| 10 шт. | 0.369500 ₽ |
| 30 шт. | 0.327200 ₽ |
| 100 шт. | 0.275100 ₽ |
| 500 шт. | 0.250700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.237700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP |
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Ток коллектора (Ic) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 8000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Ток отсечки коллектора | 1uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
Описание
100V 8000 5A 1 PNP PNP TO-252-2L одиночные биполярные транзисторы