HXY MOSFET TIP122D

HXY MOSFET TIP122D

Артикул: C50269811 Part Number: TIP122D Производитель: HXY MOSFET
от 0.172600 ₽ В наличии: 1790 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.323600 ₽
50 шт. 0.259200 ₽
150 шт. 0.231600 ₽
500 шт. 0.197200 ₽
2500 шт. 0.181800 ₽
5000 шт. 0.172600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 150V
Ток коллектора (Ic) 5A
Рассеиваемая мощность (Pd) 2W
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 2000;8000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.2V
Ток отсечки коллектора 1uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

150V 5A NPN TO-252-2L одиночные биполярные транзисторы