DDF MJD112

DDF MJD112

Артикул: C50229435 Part Number: MJD112 Производитель: DDF
от 0.060200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.158800 ₽
200 шт. 0.063400 ₽
500 шт. 0.061300 ₽
1000 шт. 0.060200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип -
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.75W
Ток коллектора (Ic) 2A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000;500;200
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V;3V
Ток отсечки коллектора 20uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 2A TO-252 одиночные биполярные транзисторы