HXY MOSFET BC856BDW1T1G-HXY
Артикул: C50177018
Part Number: BC856BDW1T1G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.022200 ₽
В наличии: 2980 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.040500 ₽ |
| 200 шт. | 0.032600 ₽ |
| 600 шт. | 0.028700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.025700 ₽ |
| 9000 шт. | 0.023400 ₽ |
| 21000 шт. | 0.022200 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 2 PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 65V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 450 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Ток отсечки коллектора | 15nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Конфигурация | Standalone |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 100MHz |
Описание
65V 450 100mA PNP 2 PNP SOT-363 одиночные биполярные транзисторы