Технология TRENCHSTOP Performance: IGBT и быстрый встречно-параллельный диод RAPID 1 в общем корпусе DuoPack, 600 V; серия TRENCHSTOP Performance, высокоскоростной IGBT с траншейной структурой и ограничением электрического поля Fieldstop.
Артикул: C501514
Part Number: IKW50N60DTP
Производитель: Infineon
от 4.027500 ₽
В наличии: 149 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.143600 ₽ |
| 10 шт. | 4.727700 ₽ |
| 30 шт. | 4.466100 ₽ |
| 90 шт. | 4.199700 ₽ |
| 510 шт. | 4.079500 ₽ |
| 990 шт. | 4.027500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 319.2W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 249nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.1V@0.8mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.95nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 109pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 67pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 215ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.53mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 850uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 115ns |
Описание
319.2W 80A 600V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS