R+O HD510N110SG
Артикул: C50132384
Part Number: HD510N110SG
Производитель: R+O
от 0.244800 ₽
В наличии: 360 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.435500 ₽ |
| 50 шт. | 0.354200 ₽ |
| 150 шт. | 0.319300 ₽ |
| 500 шт. | 0.275800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.256500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.244800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 89W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.355nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8.5pF |
Описание
100V 60A 1.9V 89W 11mΩ@10V 1 N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS