R+O HD506N100SG
Артикул: C50132383
Part Number: HD506N100SG
Производитель: R+O
от 0.198200 ₽
В наличии: 255 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.352600 ₽ |
| 50 шт. | 0.286700 ₽ |
| 150 шт. | 0.258500 ₽ |
| 500 шт. | 0.223300 ₽ |
| 2500 шт. | 0.207600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.198200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 16nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.21nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
Описание
60V 55A 1.8V 60W 13mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS