ST STP26N65DM2
Артикул: C501031
Part Number: STP26N65DM2
Производитель: ST
от 3.387400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.493000 ₽ |
| 10 шт. | 3.447500 ₽ |
| 50 шт. | 3.416600 ₽ |
| 100 шт. | 3.387400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 170W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 190mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 35.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.48nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 62pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
170W 650V 20A 4V 190mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS