Infineon IRGIB15B60KD1P
Артикул: C500540
Part Number: IRGIB15B60KD1P
Производитель: Infineon
от 1.517400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.617300 ₽ |
| 30 шт. | 1.517400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 19A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 56nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 850pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 100pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 32pF |
| Время задержки включения Td(on) | 30ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 173ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 127uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 334uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 67ns |
Описание
52W 19A 600V NPT (не-пробойник Through) TO-220 одиночные IGBT-транзисторы RoHS