VISHAY SIHD4N80E-GE3
Артикул: C499601
Part Number: SIHD4N80E-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.595400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.028900 ₽ |
| 10 шт. | 0.860700 ₽ |
| 30 шт. | 0.768200 ₽ |
| 100 шт. | 0.663300 ₽ |
| 500 шт. | 0.617000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.595400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.7A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.1Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 622pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 34pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
69W 800V 2.7A 2V 1.1Ω@10V 1 N-канальный N-канальный DPAK(TO-252AA) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS