ST STD12N60DM2AG
Артикул: C495234
Part Number: STD12N60DM2AG
Производитель: ST
от 1.609900 ₽
В наличии: 67 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.708900 ₽ |
| 10 шт. | 2.299400 ₽ |
| 30 шт. | 2.042300 ₽ |
| 100 шт. | 1.780300 ₽ |
| 500 шт. | 1.660700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.609900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 110W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 430mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 614pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 32pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
110W 650V 10A 3V 430mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS