HXY MOSFET IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
Артикул: C49507539
Part Number: IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 2.667100 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.223600 ₽ |
| 10 шт. | 3.624300 ₽ |
| 30 шт. | 3.268000 ₽ |
| 90 шт. | 2.908400 ₽ |
| 510 шт. | 2.742200 ₽ |
| 990 шт. | 2.667100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.7kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.4Ω |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 215pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 19pF |
Описание
1.7kV 5A 4.3V 69W 1.4Ω 1 N-канальный N-канальный TO-3PF одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)