R+O HB10N850S
Артикул: C49423998
Part Number: HB10N850S
Производитель: R+O
от 0.081900 ₽
В наличии: 3730 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.159700 ₽ |
| 50 шт. | 0.126500 ₽ |
| 150 шт. | 0.112300 ₽ |
| 500 шт. | 0.094500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.086600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.081900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 15A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 40W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 85mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 12nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.175nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 30pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40pF |
Описание
100V 15A 1.8V 40W 85mΩ@10V 1 N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS