HXY MOSFET NVH4L022N120M3S-HXY
Артикул: C49423281
Part Number: NVH4L022N120M3S-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 15.734500 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 19.545300 ₽ |
| 10 шт. | 18.647100 ₽ |
| 30 шт. | 17.091800 ₽ |
| 90 шт. | 15.734500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 469W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 28.8mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 162nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.818nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 180pF |
Описание
1.2kV 100A 3.6V 469W 28.8mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)