JSCJ MCI100N65E3A2
Артикул: C49330893
Part Number: MCI100N65E3A2
Производитель: JSCJ
от 33.811700 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 34.435600 ₽ |
| 10 шт. | 33.811700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
100A 650V FS (ограничение поля) A2 одиночные IGBT-транзисторы RoHS