JTD JTDMMBT3906W
Артикул: C49308275
Part Number: JTDMMBT3906W
Производитель: JTD
от 0.005700 ₽
В наличии: 1500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 100 шт. | 0.009300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.007800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.006900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.006400 ₽ |
| 51000 шт. | 0.005900 ₽ |
| 99000 шт. | 0.005700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP |
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 40V |
| Ток коллектора (Ic) | 200mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Конфигурация | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
Описание
40V 80 200mA 1 PNP PNP SOT-323 одиночные биполярные транзисторы