JTD JTDMMDT5551
Артикул: C49308270
Part Number: JTDMMDT5551
Производитель: JTD
от 0.013200 ₽
В наличии: 2820 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.027300 ₽ |
| 200 шт. | 0.021300 ₽ |
| 600 шт. | 0.017900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.015900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.014200 ₽ |
| 21000 шт. | 0.013200 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 2 NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 160V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Ток коллектора (Ic) | 200mA |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 300 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 200mV |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Конфигурация | Standalone |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 300MHz |
Описание
160V 300 200mA NPN 2 NPN SOT-363 одиночные биполярные транзисторы