JTD JTD5551

JTD JTD5551

Артикул: C49308269 Part Number: JTD5551 Производитель: JTD
от 0.009400 ₽ В наличии: 3300 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
50 шт. 0.015500 ₽
500 шт. 0.012900 ₽
3000 шт. 0.011400 ₽
6000 шт. 0.010600 ₽
24000 шт. 0.009800 ₽
51000 шт. 0.009400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN
Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 160V
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Ток коллектора (Ic) 600mA
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 300
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 200mV
Ток отсечки коллектора 50nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 300MHz

Описание

160V 300 600mA 1 NPN NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы