JTD JTDMMBT5551
Артикул: C49308268
Part Number: JTDMMBT5551
Производитель: JTD
от 0.012200 ₽
В наличии: 1450 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.022100 ₽ |
| 500 шт. | 0.017900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.015500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.014100 ₽ |
| 24000 шт. | 0.012900 ₽ |
| 51000 шт. | 0.012200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 160V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Ток коллектора (Ic) | 600mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 300 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 200mV |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Конфигурация | Standalone |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 300MHz |
Описание
160V 300 600mA 1 NPN NPN SOT-323 одиночные биполярные транзисторы